【产品中心】巨磁阻效应:新一代高灵敏磁传感器的核心技术
什么是巨磁阻效应 巨磁阻效应(GMR)是指在磁场作用下,材料内部电阻率发生变化的现象。这种现象是由于磁场改变了材料中电子的自旋方向和电子之间的散射导致的。GMR效应的发现是20世纪80年代初期的一项重大突破,它引领了新一代高灵敏磁传感器的发展。 GMR技术在磁传感器中的应用 GMR技术被广泛应用于磁传感器中,以便测量磁场的强度和方向。在磁传感器中,GMR元件通常由多层金属薄膜组成,其中每一层的自旋方向都不同。当磁场作用于GMR元件时,电阻率发生变化,这种变化可以被测量和记录下来。 GMR技术的